| 功能特点 | 
		
			| ●采用高分辨率的铟镓砷红外相机,利用其在近红外波段内有较强的灵敏度特性 | 
		
			| ●用于电池片/硅片的缺陷检测 | 
		
			| ●测试速度优于EL测试速度 | 
		
			| ●非接触测试,减少电池片/硅片的破损率 | 
		
			| ●无接触电阻影响,测试结果更准确 | 
		
			| 基本参数 | 
		
			| 适用范围 | 栅线制作前 硅片、电池片 | 
		
			| 有效测试面积 | 200mm×200mm(可定制) | 
		
			| 相机类型 | 铟镓砷相机InGaAs | 
		
			| 外形尺寸 | 长*宽*高:1300mm*950mm*1500mm | 
		
			| 测试环境 | 温度20-45℃,湿度20%-70% | 
		
			| 供电要求 | 交流单相220V/110V±10% 20A,50/60Hz | 
		
			| 主要性能参数 | 
		
			| 分辨率 | 1024* ∞ | 
		
			| 灵敏度 | 0.5mm | 
		
			| 电源 | 6A/200V | 
		
			| 曝光时间 | 5S | 
		
			| 成像时间 | 2S | 
		
			| 周期 | 10S | 
		
			| 软件功能 | 缺陷图像智能识别(可定制)) | 
		
			| 在线设计 | 与生产线结合、自动分选(选配) |